| 
		 |  | 
		
		 |  
		
		
		Дата: 10:16 02.12.2011 / Добавил: Робот / Комментарии (0)
 
		  
		Компании IBM и Micron объявили о начале производства новых модулей Hybrid Memory Cube, построенных на основе стека из чипов памяти, расположенных плотно друг к другу. В новых образцах будет использована технология «связь сквозь кремний» (through silicon via, TSV), обеспечивающая электрическую связь между собранными в стопку кристаллами DRAM и кристаллом со схемой высокоскоростного ввода-вывода.
  
 | 
        	     
        	 
        	 |